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M-avion de R-axe de Sapphire Wafer développé par méthode 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | BonTek |
| Certification: | ISO:9001 |
| Numéro de modèle: | Saphir (Al2O3) |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5 morceaux |
|---|---|
| Prix: | Négociable |
| Détails d'emballage: | Cassette, pot, paquet de film |
| Délai de livraison: | 1-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000 morceaux/mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Sapphire Wafer | Type: | Monocristal |
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| Couleur: | Blanc/rouge/bleu | Méthode de croissance: | Cristallisation horizontalement dirigée (HDC) |
| Surface: | Double côté polonais | Gamme de FORCE: | 85% |
| Application: | Gaufrette de Semicondutor, puce menée, vitrail optique, céramique électronique | Industrie: | Verre mené et optique, gaufrette eli-prête |
| Mettre en évidence: | Sapphire Wafer de Stepanov,HDC gaufrette de 3 pouces,Sapphire Wafer 2Inch |
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Description de produit
M-avion de R-axe de Sapphire Wafer développé par méthode 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov
La méthode de Stepanov est employée pour la croissance des détails de saphir de monocristal de diverses configurations, y compris des tiges de saphir, des tuyaux et des bandes.
La méthode de cristallisation horizontalement dirigée est très utilisée dans la synthèse de grands monocristaux de saphir. Les éléments de la cristallisation dirigée et de la fonte zonale sont avec succès combinés dans le Gorizontally ont dirigé la méthode de la cristallisation (HDC). Le cristal se développe au mouvement lent de la zone fondue locale le long du conteneur avec la charge de four, ayant une forme de bateau. La méthode dirigée horizontale de cristallisation fournit à la réception du saphir monocristallin la dispersion de petites tailles de la section transversale et laisse grandir le monocristal de saphir de n'importe quelle orientation cristallographique sous forme de plats des longueurs d'enregistrement inaccessibles à l'utilisation d'autres méthodes de croissance.
PROPRIÉTÉS OPTIQUES
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Transmission |
0,17 à 5,5 um |
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Indice de réfraction |
1,75449 (o) 1,74663 (e) à 1,06 um |
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Perte de réflexion |
à 1,06 microns (2 surfaces) pour o-Ray - 11,7% ; pour e-Ray - 14,2% |
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Index d'absorption |
0,3 x 10-3 cm-1 à 2,4 um |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 à 5,4 um |
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dn/dm = 0 |
1,5 um |
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Orientation |
R-avion, C-avion, Un-avion, M-avion ou une orientation spécifique |
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Tolérance d'orientation |
± 0.3° |
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Diamètre |
2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces ou d'autres |
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Tolérance de diamètre |
0.1mm 2 pouces, 0.2mm 3 pouces, 0.3mm 4 pouces, 0.5mm 6 pouces |
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Épaisseur |
0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou d'autres ; |
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Tolérance d'épaisseur |
25μm |
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Longueur plate primaire |
16.0±1.0mm 2 pouces, 22.0±1.0mm 3 pouces, 30.0±1.5mm 4 pouces, 47.5/50.0±2.0mm 6 pouces |
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Orientation plate primaire |
± 0.2° du l'Un-avion (1 1-2 0) ; C-avion (0 0-0 1) ± 0.2°, C-axe projeté 45 +/- 2° |
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TTV |
≤10µm 2 pouces, ≤15µm 3 pouces, ≤20µm 4 pouces, ≤25µm 6 pouces |
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ARC |
≤10µm 2 pouces, ≤15µm 3 pouces, ≤20µm 4 pouces, ≤25µm 6 pouces |
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Front Surface |
Epi-poli (Ra< 0=""> |
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Surface arrière |
La terre fine (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-poli |
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Emballage |
Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100 |
Contrôle d'acceptation
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