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C-axe de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-prêt
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | BonTek |
| Certification: | ISO:9001 |
| Numéro de modèle: | Saphir (Al2O3) |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5 morceaux |
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| Prix: | Négociable |
| Détails d'emballage: | Cassette, pot, paquet de film |
| Délai de livraison: | 1-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000 morceaux/mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Sapphire Wafer | Type: | Monocristal |
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| Couleur: | Blanc/rouge/bleu | Méthode de croissance: | Cristallisation horizontalement dirigée (HDC) |
| Surface: | Double côté polonais | Gamme de FORCE: | 85% |
| Application: | Gaufrette de Semicondutor, puce menée, vitrail optique, céramique électronique | Industrie: | Verre mené et optique, gaufrette eli-prête |
| Mettre en évidence: | gaufrette en cristal 4inch de saphir,Gaufrette de monocristal de HDC,gaufrette en cristal 0.5mm de saphir |
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Description de produit
C-axe horizontalement dirigé de Sapphire Wafer développé par cristallisation 4inch 0.5mm Epi-prêt
Le saphir Al2O3 de monocristal possède une combinaison unique d'excellentes propriétés optiques, physiques et chimiques. Le plus dur des cristaux d'oxyde, le saphir Al2O3 maintient son de haute résistance à températures élevées, a de bonnes propriétés thermiques et excellent transparent. L'optique de Sapphire Al 2O3 est chimiquement résistante à beaucoup d'acides et d'alcalis aux températures jusqu'à 1000 degrés de C aussi bien qu'à l'à haute fréquence en-dessous de 300 degrés de C. Ces propriétés encouragent son utilisation large de l'optique de Sapphire Al 2O3 dans les environnements hostiles où la transmission optique dans la gamme de l'évident à l'infrarouge proche est exigée.
Maintenant la majorité de cristaux se développent de la fonte liquide. Les substances les plus appropriées à se développer en cristal d'une fonte doivent fondre sans décomposition, n'ont aucune transition polymorphe et sont caractérisées par basse activité chimique. Le processus de cristallisation d'une fonte est appliqué dans les méthodes les plus répandues de croissance monocristalline de saphir : à savoir, la méthode horizontalement dirigée de la cristallisation (HDC) et la méthode de Stepanov.
PROPRIÉTÉS OPTIQUES
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Transmission |
0,17 à 5,5 um |
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Indice de réfraction |
1,75449 (o) 1,74663 (e) à 1,06 um |
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Perte de réflexion |
à 1,06 microns (2 surfaces) pour o-Ray - 11,7% ; pour e-Ray - 14,2% |
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Index d'absorption |
0,3 x 10-3 cm-1 à 2,4 um |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 à 5,4 um |
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dn/dm = 0 |
1,5 um |
PROPRIÉTÉS PHYSIQUES
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Densité |
3,97 g/cm3 |
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Point de fusion |
2040 degrés de C |
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Conduction thermique |
27,21 avec (m X K) à 300 K |
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Dilatation thermique |
5,6 x 10 -6 /K (C-axe parallèle) et 5,0 (C-axe perpendiculaire) x 10 -6 /K |
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Dureté |
Knoop 2000 kg/mm 2 avec le pénétrateur 2000g |
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Capacité de chaleur spécifique |
419 j (kilogramme X K) |
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Constante diélectrique |
11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz |
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Module de Young (e) |
335 GPa |
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Module (G) de cisaillement |
148,1 GPa |
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Module de compressibilité (k) |
240 GPa |
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Coefficients élastiques |
C11=496C12=164C13=115 |
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Limite d'élasticité apparente |
MPA 275 (40 000 livres par pouce carré) |
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Coefficient de Poisson |
0,25 |
Contrôle d'acceptation
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