4 pouces 6 pouces LNOI Wafers pour la communication optique compacte et haute performance
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | Chine |
Nom de marque: | CQT |
Certification: | ISO:9001, ISO:14001 |
Numéro de modèle: | Gaufrette de LNOI |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 10 pièces |
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Prix: | $2000/pc |
Détails d'emballage: | Paquet de pot de cassette, fermé sous vide |
Délai de livraison: | 1 à 4 semaines |
Conditions de paiement: | T/T |
Capacité d'approvisionnement: | 50000 PCs/mois |
Détail Infomation |
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Produit: | LiNbO3 sur l'isolateur | Diamètre: | 4 pouces, 6 pouces |
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Couche supérieure: | Niobate de lithium | Épaisseur supérieure: | 300~600nm |
Insolation: | Oxyde SiO2 thermique | Épaisseur d'insolation: | 2000±15nm ; 3000±50nm ; 4700±100nm |
la couche de support: | Si, silice fondue | Application du projet: | Guides d'ondes optiques et Microwaveguides |
Mettre en évidence: | Waffles de 6 pouces LNOI,Wafers LNOI de communication optique haute performance,Waffles LNOI compacts |
Description de produit
4 pouces 6- Un pouce.Les plaquettes LNOI sont le choix idéal pour une communication optique compacte et performante
Je suis désolée.Révolutionner la photonique avec des wafers LNOI ultra-faiblesJe suis désolée.
Je suis désolée.Plateforme de niobate de lithium sur isolant (LNOI) de nouvelle générationJe suis désolée.
Débloquez des performances sans précédent dans la photonique intégrée avec nos plaquettes LNOI de pointe, conçues pour une perte optique ultra-faible et une rugosité de surface inférieure au nanomètre.Combinaison de films minces stochiométriques LiNbO3 avec des couches enfouies de SiO2 oxydé thermiquementNos galettes sont livrées.> 30 fois plus de rendement non linéaireLes produits de base sont plus efficaces que les cristaux en vrac conventionnels, tout en permettant une fabrication compatible CMOS.
Principaux avantages
✓ Performance EO révolutionnaire: atteindre une bande passante de modulation >100 GHz avec r33 >30 pm/V, idéal pour les émetteurs-récepteurs cohérents 800G/1.6T.
✓ Précision de préparation quantique: polling périodique personnalisé (PPLN) avec une erreur de domaine < 5 nm pour la génération de photons enchevêtrés.
✓ Conception résistante à l'usure: résiste à une intensité optique > 10 MW/cm2 (certifié Telcordia GR-468).
Applications
▷ modulateurs EO ultracompacts 5G/6G
▷ Circuits photoniques topologiques et calcul optique
▷ Convertisseurs de fréquences quantiques (bande C/L à bande de télécommunications)
▷ Photodétecteurs LiDAR à haute sensibilité
Spécifications techniques
• Taille de la gaufre: 100/150 mm de diamètre (2" à 6" personnalisables)
• LiNbO3 Couche: coupure X/Z, épaisseur 300±5 nm (standard)
• Oxyde enfoui: 1-3 μm SiO2, tension de rupture > 200 V/μm
• Substrate: Si à haute résistivité (> 5 kΩ·cm)
Waffle à base de LNOI | |||
La structure | LN / SiO2- Je sais. | LTV / PLTV | < 1,5 μm (5Je ne sais pas.5 mm2) / 95% |
Diamètre | Φ100 ± 0,2 mm | Exclusion des bords | 5 mm |
Épaisseur | 500 ± 20 μm | Faites une fleur. | Dans un rayon de 50 μm |
Longueur plate primaire | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
Réglage des bords | 2 ± 0,5 mm |
Décapage des plaquettes | Type R | Environnemental | Rohs 2.0 |
Couche LN supérieure | |||
Épaisseur moyenne | 400/600 ± 10 nm | L'uniformité | < 40 nm @17 points |
Indice de réfraction | pas > 2.2800, ne < 2,2100 @ 633 nm | Les orientations | Axe X ± 0,3° |
Grade | Optique | Surface Ra | < 0,5 nm |
Les défauts | > 1 mm Aucun; Je ne sais pas.1 mm Dans un total de 300 |
Délamination | Aucune |
Des rayures. | > 1 cm Aucun Je ne sais pas.1 cm Dans les 3 |
Le premier appartement | Perpendiculaire à l'axe + Y ± 1° |
Isolement SiO2Couche | |||
Épaisseur moyenne | La fréquence d'écoulement de la lumière doit être supérieure ou égale à: | L'uniformité | Le montant de l'allocation est calculé à partir de la valeur de l'allocation. |
La méthode Fab. | Oxyde thermique | Indice de réfraction | 1.45-1,47 @ 633 nm |
Substrate | |||
Matériel | Je sais. | Les orientations | Les valeurs de référence sont les suivantes: |
L'orientation principale est plate | Les valeurs d'échantillonnage sont calculées à partir des valeurs de l'échantillon. | Résistance | > 10 kΩ·cm |
Contamination à l'arrière | Pas de tache visible | À l'arrière | Le graffiti |