• 4 pouces 6 pouces LNOI Wafers pour la communication optique compacte et haute performance
4 pouces 6 pouces LNOI Wafers pour la communication optique compacte et haute performance

4 pouces 6 pouces LNOI Wafers pour la communication optique compacte et haute performance

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: CQT
Certification: ISO:9001, ISO:14001
Numéro de modèle: Gaufrette de LNOI

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 10 pièces
Prix: $2000/pc
Détails d'emballage: Paquet de pot de cassette, fermé sous vide
Délai de livraison: 1 à 4 semaines
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 50000 PCs/mois
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Produit: LiNbO3 sur l'isolateur Diamètre: 4 pouces, 6 pouces
Couche supérieure: Niobate de lithium Épaisseur supérieure: 300~600nm
Insolation: Oxyde SiO2 thermique Épaisseur d'insolation: 2000±15nm ; 3000±50nm ; 4700±100nm
la couche de support: Si, silice fondue Application du projet: Guides d'ondes optiques et Microwaveguides
Mettre en évidence:

Waffles de 6 pouces LNOI

,

Wafers LNOI de communication optique haute performance

,

Waffles LNOI compacts

Description de produit

4 pouces 6- Un pouce.Les plaquettes LNOI sont le choix idéal pour une communication optique compacte et performante

 

Je suis désolée.Révolutionner la photonique avec des wafers LNOI ultra-faiblesJe suis désolée.

Je suis désolée.Plateforme de niobate de lithium sur isolant (LNOI) de nouvelle générationJe suis désolée.
Débloquez des performances sans précédent dans la photonique intégrée avec nos plaquettes LNOI de pointe, conçues pour une perte optique ultra-faible et une rugosité de surface inférieure au nanomètre.Combinaison de films minces stochiométriques LiNbO3 avec des couches enfouies de SiO2 oxydé thermiquementNos galettes sont livrées.> 30 fois plus de rendement non linéaireLes produits de base sont plus efficaces que les cristaux en vrac conventionnels, tout en permettant une fabrication compatible CMOS.

Principaux avantages
✓ Performance EO révolutionnaire: atteindre une bande passante de modulation >100 GHz avec r33 >30 pm/V, idéal pour les émetteurs-récepteurs cohérents 800G/1.6T.
✓ Précision de préparation quantique: polling périodique personnalisé (PPLN) avec une erreur de domaine < 5 nm pour la génération de photons enchevêtrés.
✓ Conception résistante à l'usure: résiste à une intensité optique > 10 MW/cm2 (certifié Telcordia GR-468).

Applications
▷ modulateurs EO ultracompacts 5G/6G
▷ Circuits photoniques topologiques et calcul optique
▷ Convertisseurs de fréquences quantiques (bande C/L à bande de télécommunications)
▷ Photodétecteurs LiDAR à haute sensibilité

Spécifications techniques
• Taille de la gaufre: 100/150 mm de diamètre (2" à 6" personnalisables)
• LiNbO3 Couche: coupure X/Z, épaisseur 300±5 nm (standard)
• Oxyde enfoui: 1-3 μm SiO2, tension de rupture > 200 V/μm
• Substrate: Si à haute résistivité (> 5 kΩ·cm)

Waffle à base de LNOI
La structure LN / SiO2- Je sais. LTV / PLTV < 1,5 μm (5Je ne sais pas.5 mm2) / 95%
Diamètre Φ100 ± 0,2 mm Exclusion des bords 5 mm
Épaisseur 500 ± 20 μm Faites une fleur. Dans un rayon de 50 μm
Longueur plate primaire 47.5 ± 2 mm
57.5 ± 2 mm
Réglage des bords 2 ± 0,5 mm
Décapage des plaquettes Type R Environnemental Rohs 2.0
Couche LN supérieure
Épaisseur moyenne 400/600 ± 10 nm L'uniformité < 40 nm @17 points
Indice de réfraction pas > 2.2800, ne < 2,2100 @ 633 nm Les orientations Axe X ± 0,3°
Grade Optique Surface Ra < 0,5 nm
Les défauts > 1 mm Aucun;
Je ne sais pas.1 mm Dans un total de 300
Délamination Aucune
Des rayures. > 1 cm Aucun
Je ne sais pas.1 cm Dans les 3
Le premier appartement Perpendiculaire à l'axe + Y ± 1°
Isolement SiO2Couche
Épaisseur moyenne La fréquence d'écoulement de la lumière doit être supérieure ou égale à: L'uniformité Le montant de l'allocation est calculé à partir de la valeur de l'allocation.
La méthode Fab. Oxyde thermique Indice de réfraction 1.45-1,47 @ 633 nm
Substrate
Matériel Je sais. Les orientations Les valeurs de référence sont les suivantes:
L'orientation principale est plate Les valeurs d'échantillonnage sont calculées à partir des valeurs de l'échantillon. Résistance > 10 kΩ·cm
Contamination à l'arrière Pas de tache visible À l'arrière Le graffiti

 

 

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4 pouces 6 pouces LNOI Wafers pour la communication optique compacte et haute performance 2

 

4 pouces 6 pouces LNOI Wafers pour la communication optique compacte et haute performance 3

 

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à 4 pouces 6 pouces LNOI Wafers pour la communication optique compacte et haute performance pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
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