Conductivité thermique C-plan 0001 Wafer de saphir Al2O3 Substrate pour fenêtre infrarouge
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | Chine |
Nom de marque: | CSIMC |
Certification: | ISO:9001 |
Numéro de modèle: | Saphir (Al2O3) |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 5 pièces |
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Prix: | Négociable |
Détails d'emballage: | Cassette, pot, paquet de film |
Délai de livraison: | 1 à 4 semaines |
Conditions de paiement: | T/T |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 pièces/mois |
Détail Infomation |
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Matériel: | Sapphire Wafer | La pureté: | 99,999% |
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Point de fusion: | °C 2040 | Diamètre: | 2 " 3 " 4 " |
Expansion thermique: | 5,6 x 10 -6 /K (C-axe parallèle) et 5,0 (C-axe perpendiculaire) x 10 -6 /K | Dureté: | Knoop 2000 kg/mm 2 avec le pénétrateur 2000g |
Capacité de chaleur spécifique: | 419 j (kilogramme X K) | Constante diélectrique: | 11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz |
Mettre en évidence: | Wafer en saphir pour fenêtre infrarouge,C-plan 0001 Wafer en saphir,Al2O3 Substrate Wafer en saphir |
Description de produit
Conductivité thermique C-plan 0001 Wafer de saphir Al2O3 Substrate pour fenêtre infrarouge
Nos gaufres en saphir sont méticuleusement fabriquées à partir de la plus pure forme de cristal de saphir, réputée pour sa dureté exceptionnelle,durabilité, et la clarté optique.
Conçues pour résister aux exigences rigoureuses de l'électronique et de l'optoélectronique modernes, ces plaquettes offrent des performances inégalées dans l'éclairage LED, les appareils à semi-conducteurs et même les cadrans de montres haut de gamme..Leur conductivité thermique supérieure assure une dissipation de chaleur efficace, tandis que leur transparence optique permet des écrans et des capteurs de pointe.
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Propriétés optiques du saphir Al2O3 | |
Portée de transmission |
0.17 à 5,5 microns |
Indice de réfraction |
1.75449 (o) 1.74663 (e) à 1,06 microns |
Perte de la réflexion |
à 1,06 microns (2 surfaces) pour les rayons O - 11,7%; pour les rayons E - 14,2% |
Indice d'absorption |
0.3 x 10-3 cm-1 à 2,4 microns |
DN/dT |
13.7 x 10-6 à 5,4 microns |
dn/dm = 0 |
1.5 microns |
Propriétés physiques du saphir Al2O3 | |
Densité |
30,97 g/cm3 |
Point de fusion |
2040 degrés C |
Conductivité thermique |
27.21 W/ ((m x K) à 300 K |
Expansion thermique |
5.6 x 10- 6/K (axe C parallèle) et 5,0 (axe C perpendiculaire) x 10- 6- Je ne sais pas. |
Dureté |
Noup 2000 kg/mm2avec indentateur de 2000 g |
Capacité thermique spécifique |
419 J/ ((kg x K) |
Constante diélectrique |
11.5 (axe C parallèle) 9.4 (axe C perpendiculaire) à 1 MHz |
Module de Young (E) |
335 GPa |
Module de cisaillement (G) |
148.1 GPa |
Module de masse (K) |
240 GPa |
Coefficients élastiques |
C11= 496 C12=164 C13=115 |
Limite apparente d'élasticité |
275 MPa (40.000 psi) |
Ratio de poisson |
0.25 |
Les orientations |
Plan R, plan C, plan A, plan M ou orientation spécifiée |
Tolérance à l'orientation |
± 0,3° |
Diamètre |
2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces ou autres |
Tolérance au diamètre |
0.1mm pour 2 pouces, 0.2mm pour 3 pouces, 0.3mm pour 4 pouces, 0.5mm pour 6 pouces |
Épaisseur |
0.25 mm, 0,33 mm, 0,43 mm, 0,65 mm, 1 mm ou autres; |
Tolérance à l'épaisseur |
25 μm |
Longueur plate primaire |
16.0±1.0mm pour 2 pouces, 22.0±1.0mm pour 3 pouces, 30.0±1.5mm pour 4 pouces, 47.5/50.0±2.0mm pour 6 pouces |
L'orientation principale est plate |
A-plan (1 1-2 0) ± 0,2°; C-plan (0 0-0 1) ± 0,2°, Axe C projeté 45 +/- 2° |
Vérification de l'acceptation
1Le produit est fragile. Nous l'avons correctement emballé et étiqueté fragile. Nous livrons par l'intermédiaire d'excellentes compagnies express nationales et internationales pour assurer la qualité du transport.
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3Veuillez ouvrir l'emballage sous vide dans une pièce propre lorsque les produits doivent être appliqués.
4. Si les produits sont trouvés endommagés pendant le courrier, veuillez prendre une photo ou enregistrer une vidéo immédiatement. NE PAS retirer les produits endommagés de la boîte d'emballage!Contactez-nous immédiatement et nous allons résoudre le problème bien.