• La pierre précieuse qui alimente la plaque de saphir de pointe
La pierre précieuse qui alimente la plaque de saphir de pointe

La pierre précieuse qui alimente la plaque de saphir de pointe

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: CSIMC
Certification: ISO:9001
Numéro de modèle: Saphir (Al2O3)

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 5 pièces
Prix: Négociable
Détails d'emballage: Cassette, pot, paquet de film
Délai de livraison: 1 à 4 semaines
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000 pièces/mois
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Matériel: Cristaux de saphir (Al2O3) Le type: Monocristal
la pureté: 99,999% Méthode de croissance: Cristallisation horizontalement dirigée (HDC)
Surface: DSP / SSP Module de Young (e): 335 GPa
Application du projet: Gaufrette de Semicondutor, puce menée, vitrail optique, céramique électronique Le secteur industriel: Verre mené et optique, gaufrette eli-prête
Mettre en évidence:

Les pierres précieuses et les saphirs

,

Une gaufre en saphir de 4 pouces

,

4 pouces de saphir

Description de produit

4 pouces de saphir La pierre précieuse qui alimente la plaque de saphir de pointe

 

Des produits de la sous-culture:

Déverrouillez le potentiel de vos applications optiques et de semi-conducteurs avec nos Wafers Sapphire, fabriquées à partir du plus pur cristal de saphir.résistance mécaniqueIdéales pour des applications exigeantes dans les industries des semi-conducteurs, de l'optoélectronique et des lasers haute puissance, elles assurent des performances et une fiabilité supérieures.

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Propriétés optiques

Transmission

0.17 à 5.5 mm

Indice de réfraction

1.75449 (o) 1.74663 (e) à 1,06 μm

Perte de la réflexion

à 1,06 microns (2 surfaces) pour les rayons O - 11,7%; pour les rayons E - 14,2%

Indice d'absorption

0.3 x 10-3 cm-1 à 2,4 μm

DN/dT

13.7 x 10-6 à 5,4 um

dn/dm = 0

1.5 mm

 

Propriétés physiques

Densité

30,97 g/cm3

Point de fusion

2040 degrés C

Conductivité thermique

27.21 W/ ((m x K) à 300 K

Expansion thermique

5.6 x 10- 6/K (axe C parallèle) et 5,0 (axe C perpendiculaire) x 10- 6- Je ne sais pas.

Dureté

Noup 2000 kg/mm2avec indentateur de 2000 g

Capacité thermique spécifique

419 J/ ((kg x K)

Constante diélectrique

11.5 (axe C parallèle) 9.4 (axe C perpendiculaire) à 1 MHz

Module de Young (E)

335 GPa

Module de cisaillement (G)

148.1 GPa

Module de masse (K)

240 GPa

Coefficients élastiques

C11= 496 C12=164 C13=115
C33= 498 C44= 148

Limite apparente d'élasticité

275 MPa (40.000 psi)

Ratio de poisson

0.25

 

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Vérification de l'acceptation

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1Le produit est fragile. Nous l'avons correctement emballé et étiqueté fragile. Nous livrons par l'intermédiaire d'excellentes compagnies express nationales et internationales pour assurer la qualité du transport.

 

2. Après avoir reçu les marchandises, veuillez les manipuler avec soin et vérifier si le carton extérieur est en bon état. Ouvrez soigneusement le carton extérieur et vérifiez si les boîtes d'emballage sont alignées.Prends une photo avant de les sortir..

 

3Veuillez ouvrir l'emballage sous vide dans une pièce propre lorsque les produits doivent être appliqués.

 

4. Si les produits sont trouvés endommagés pendant le courrier, veuillez prendre une photo ou enregistrer une vidéo immédiatement. NE PAS retirer les produits endommagés de la boîte d'emballage!Contactez-nous immédiatement et nous allons résoudre le problème bien.

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