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Ouvrir le tantalate de lithium sur l'isolateur (LTOI) pour des applications photoniques avancées
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | BonTek |
| Certification: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Numéro de modèle: | Gaufrette de LNOI |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 25 PIÈCES |
|---|---|
| Prix: | $2000/pc |
| Détails d'emballage: | Paquet de pot de cassette, fermé sous vide |
| Délai de livraison: | 1-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 50000 PCS/Month |
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Détail Infomation |
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| Produit: | LiTaO3 sur l'isolateur | Diamètre: | 4 pouces, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Couche supérieure: | Tantalate de lithium | Épaisseur supérieure: | 300~600nm |
| Insolation: | Oxyde SiO2 thermique | Épaisseur d'insolation: | 2000±15nm ; 3000±50nm ; 4700±100nm |
| Substrat: | gaufrette de silicium | Application: | Guides d'ondes optiques et Microwaveguides |
| Mettre en évidence: | Tantalate photonique de lithium sur l'isolateur,Gaufrette piézoélectrique de LTOI |
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Description de produit
Ouvrir le potentiel du tantalate de lithium sur l'isolateur (LTOI) pour des applications photoniques avancées
LTOI représente le tantalate de lithium sur l'isolateur, est une technologie spécialisée de substrat utilisée dans le domaine du photonics intégré. Il implique le transfert d'une couche mince de cristal du tantalate de lithium (LiTaO3) sur un substrat isolant, typiquement le silice (SiO2) ou le nitrure de silicium (Si3N4). Les substrats de LTOI offrent des avantages uniques pour le développement des dispositifs photoniques compacts et performants.
Des substrats de LTOI sont créés par un processus de collage où une couche mince de cristal de tantalate de lithium est transférée sur un substrat isolant. Ce processus peut être réalisé par de diverses techniques, y compris la liaison de gaufrette ou l'ion-coupe, assurant un lien fort entre les couches.
Les substrats de LTOI offrent des avantages uniques pour des applications photoniques avancées. Leur utilisation dans les modulateurs électrooptiques, les guides d'ondes, les circuits optiques non linéaires, les capteurs, le photonics de quantum, et des circuits photoniques intégrés démontre le large éventail d'applications et le potentiel pour pousser les frontières de la technologie intégrée de photonics.
| Gaufrette de LTOI | |||
| Structure | LiTaO3/SiO2/SI | LTV/PLTV | < 1="">) du millimètre2du ∗ 5/95% |
| Diamètre | ± Φ100 0,2 millimètres | Bord Exclution | 5 millimètres |
| Épaisseur | 500 μm du ± 20 | Arc | À moins du μm 50 |
| Longueur plate primaire | ± 47,5 2 millimètres ± 57,5 2 millimètres |
Règlage de bord | ± 2 0,5 millimètres |
| Tailler de gaufrette | R de type | Ambiant | Rohs 2,0 |
| LT supérieur Layer | |||
| Épaisseur moyenne | 400/600±10 nanomètre | Uniformité | < 40nm=""> |
| Index de réfraction | aucun > 2,2800, Ne < 2=""> | Orientation | ± 0.3° d'axe de Z |
| Catégorie | Optique | Ra extérieur | < 0=""> |
| Défauts | >1mm aucun ; ≦1millimètreà moinsde300totaux |
Décollement | Aucun |
| Éraflure | >1cm aucun ; ≦1cmà moinsde3 |
Appartement primaire | Perpendiculaire à + ± 1° d'axe des ordonnées |
| Isolement SiO2 couches | |||
| Épaisseur moyenne | 2000nm ± 100nm du ± 50nm 4700nm du ± 15nm 3000nm | Uniformité | <> |
| Ouvrier. Méthode | Oxyde thermique | Index de réfraction | 1.45-1.47 @ 633 nanomètre |
| Substrat | |||
| Matériel | SI | Orientation | <100> ± 1° |
| Orientation plate primaire | <110> ± 1° | Résistivité | > kΩ 10·cm |
| Contamination de postérieur | Aucune tache évidente | Postérieur | Gravure à l'eau forte |
