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Gaufrette piézoélectrique de modulation à grande vitesse et de grande largeur de bande avec LNOI POI
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | BonTek |
| Certification: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Numéro de modèle: | Gaufrette de LNOI |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 25 PIÈCES |
|---|---|
| Prix: | $2000/pc |
| Détails d'emballage: | Paquet de pot de cassette, fermé sous vide |
| Délai de livraison: | 1-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000 PCs/mois |
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Détail Infomation |
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| Produit: | Piézo-électrique sur l'isolation | Diamètre: | 4 pouces, 6 pouces |
|---|---|---|---|
| Couche supérieure: | Niobate de lithium | Épaisseur supérieure: | 300~600nm |
| Insolation: | Oxyde SiO2 thermique | Épaisseur d'insolation: | 2000±15nm ; 3000±50nm ; 4700±100nm |
| Substrat: | silicium | Application: | Guides d'ondes optiques et Microwaveguides |
| Mettre en évidence: | Gaufrette piézoélectrique de modulation à grande vitesse,Gaufrette piézoélectrique de grande largeur de bande,Gaufrette piézoélectrique de LNOI POI |
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Description de produit
Permettre la modulation ultra-rapide et la grande largeur de bande avec LNOI POI
Piézo-électrique sur l'isolation (POI) se rapporte à une technologie où des matériaux piézoélectriques sont intégrés sur un substrat isolant. Ceci tient compte de l'utilisation de l'effet piézoélectrique tout en fournissant l'isolement électrique. La technologie de POI permet le développement de divers dispositifs et les systèmes qui arment les propriétés uniques des matériaux piézoélectriques pour la détection, la mise en action, et l'énergie moissonnant des applications.
La technologie de POI (piézo-électrique sur l'isolation) trouve de diverses applications dans différents champs dus à sa capacité de combiner les avantages des matériaux piézoélectriques avec l'isolement électrique. Comme des capteurs, des systèmes et stockage et génération de l'énergie Microelectromechanical.
La polyvalence d'intégrer les matériaux piézoélectriques sur un substrat isolant pour ouvrir des possibilités pour les solutions innovatrices dans les domaines divers, y compris l'électronique, énergie, soins de santé, et plus.
| Gaufrette de LNOI | |||
| Structure | LN/SiO2/SI | LTV/PLTV | < 1="">) du millimètre2du ∗ 5/95% |
| Diamètre | ± Φ100 0,2 millimètres | Bord Exclution | 5 millimètres |
| Épaisseur | 500 μm du ± 20 | Arc | À moins du μm 50 |
| Longueur plate primaire | ± 47,5 2 millimètres ± 57,5 2 millimètres |
Règlage de bord | ± 2 0,5 millimètres |
| Tailler de gaufrette | R de type | Ambiant | Rohs 2,0 |
| Couche supérieure de LN | |||
| Épaisseur moyenne | 400/600±10 nanomètre | Uniformité | < 40nm=""> |
| Index de réfraction | aucun > 2,2800, Ne < 2=""> | Orientation | ± 0.3° d'axe des abscisses |
| Catégorie | Optique | Ra extérieur | < 0=""> |
| Défauts | >1mm aucun ; ≦1millimètreà moinsde300totaux |
Décollement | Aucun |
| Éraflure | >1cm aucun ; ≦1cmà moinsde3 |
Appartement primaire | Perpendiculaire à + ± 1° d'axe des ordonnées |
| Isolement SiO2 couches | |||
| Épaisseur moyenne | 2000nm ± 100nm du ± 50nm 4700nm du ± 15nm 3000nm | Uniformité | <> |
| Ouvrier. Méthode | Oxyde thermique | Index de réfraction | 1.45-1.47 @ 633 nanomètre |
| Substrat | |||
| Matériel | SI | Orientation | <100> ± 1° |
| Orientation plate primaire | <110> ± 1° | Résistivité | > kΩ 10·cm |
| Contamination de postérieur | Aucune tache évidente | Postérieur | Gravure à l'eau forte |
