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Catégorie Sapphire Substrate Single Crystal Wafer de LED 2 pouces - 6 pouces
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | BonTek |
| Certification: | ISO:9001 |
| Numéro de modèle: | Saphir (Al2O3) |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5 morceaux |
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| Prix: | Négociable |
| Détails d'emballage: | Cassette, pot, paquet de film |
| Délai de livraison: | 1-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000 morceaux/mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Sapphire Wafer | Méthode de croissance: | Cristallisation horizontalement dirigée (HDC) |
|---|---|---|---|
| Caractéristique: | Hardness9.0, résistant à l'usure | Couleur: | Blanc |
| Appartement primaire: | 16.0±1.0mm 2 pouces, 22.0±1.0mm 3 pouces, 30.0±1.5mm 4 pouces, 47.5/50.0±2.0mm 6 pouces | Orientation plate: | ± 0.2° du l'Un-avion (1 1-2 0) ; C-avion (0 0-0 1) ± 0.2°, C-axe projeté 45 +/- 2° |
| Application: | Gaufrette de Semicondutor, puce menée, vitrail optique | Industrie: | LED, fenêtre optique, gaufrette eli-prête |
| Mettre en évidence: | Sapphire Substrate Single Crystal Wafer,Catégorie Sapphire Wafer de LED,6 pouces Crystal Sapphire Wafer simple |
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Description de produit
2Inch-6 catégorie Sapphire Crystal Substrate de pouce LED
Le monocristal de saphir (formule moléculaire Al2O3) est un excellent matériel multifonctionnel. Il a la résistance à hautes températures, la bonne conduction de chaleur, la pénétration de dureté et infrarouge élevée et la bonne stabilité chimique. Très utilisé dans l'industrie, la défense nationale et la recherche scientifique dans beaucoup de domaines (tels que la fenêtre infrarouge résistante à hautes températures, etc.). En même temps, c'est également un genre de matériel de substrat de monocristal avec un large éventail d'utilisations. C'est le substrat préféré industrie dans le bleu, la diode électroluminescente pourpre et blanche (LED) et de bleu laser (LD) actuellement (le film de nitrure de gallium doit epitaxed sur le substrat de saphir d'abord), aussi bien qu'un substrat supraconducteur important de la couche mince.
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Coupe d'orientation |
R-avion, C-avion, Un-avion, M-avion ou une orientation spécifique |
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Tolérance d'orientation |
± 0.3° |
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Diamètre/taille |
2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces ou d'autres |
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Tolérance de diamètre |
± 0.2mm |
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Épaisseur |
0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou d'autres ; |
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Tolérance d'épaisseur |
± 25μm |
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Longueur plate primaire |
16.0±1.0mm 2 pouces, 22.0±1.0mm 3 pouces, 30.0±1.5mm 4 pouces, 47.5/50.0±2.0mm 6 pouces |
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Orientation plate primaire |
± 0.2° du l'Un-avion (1 1-2 0) ; C-avion (0 0-0 1) ± 0.2°, C-axe projeté 45 +/- 2° |
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TTV |
≤10µm 2 pouces, ≤15µm 3 pouces, ≤20µm 4 pouces, ≤25µm 6 pouces |
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ARC |
≤10µm 2 pouces, ≤15µm 3 pouces, ≤20µm 4 pouces, ≤25µm 6 pouces |
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Front Surface |
Epi-poli (Ra< 0=""> |
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Surface arrière |
La terre fine (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-poli |
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Emballage |
Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100 |