76.2 mm /- 0,1 mm Diamètre plan C Wafer saphir avec plan A 11-20 Primary Flat
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | LA CHINE |
Nom de marque: | CSIMC |
Certification: | ISO:9001 |
Numéro de modèle: | Saphir (Al2O3) |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 5 morceaux |
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Prix: | Négociable |
Détails d'emballage: | Cassette, pot, paquet de film |
Délai de livraison: | 1-4 semaines |
Conditions de paiement: | T/T |
Capacité d'approvisionnement: | 10000 morceaux/mois |
Détail Infomation |
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Matériel: | Sapphire Wafer | La pureté: | 99,999% |
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Point de fusion: | °C 2040 | Diamètre: | 76.2 mm /- 0,1 mm |
Dilatation thermique: | 5,6 x 10 -6 /K (C-axe parallèle) et 5,0 (C-axe perpendiculaire) x 10 -6 /K | Dureté: | Knoop 2000 kg/mm 2 avec le pénétrateur 2000g |
Capacité de chaleur spécifique: | 419 j (kilogramme X K) | Constante diélectrique: | 11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz |
Mettre en évidence: | Semi-conducteur Sapphire Wafer,Infrarouge de gaufrette de semi-conducteur,C-avion Sapphire Wafer |
Description de produit
76.2 mm /- 0,1 mm Diamètre plan C Wafer saphir avec plan A 11-20 Primary Flat
Nos gaufres en saphir sont fabriquées avec précision en utilisant les meilleurs matériaux et la technologie de pointe.et transparence optique, ce qui le rend idéal pour un large éventail d'applications.
Nos plaquettes sont parfaites pour l'industrie des semi-conducteurs, où elles sont utilisées dans les substrats de puces LED, les appareils optoélectroniques et les appareils électroniques haute puissance.Leur haute conductivité thermique assure une dissipation de chaleur efficaceLeur inerté chimique et leur résistance aux rayures les rendent durables et fiables.
Nous sommes fiers de notre engagement en faveur de la qualité et de l'innovation.s'assurer que nos produits répondent aux normes les plus élevées de performance et de fiabilité.
Investissez dès aujourd'hui dans nos plaquettes en saphir et profitez des avantages de la qualité supérieure, de la durabilité et des performances.
Nom de l'article |
Des plaquettes de saphir de 500 μm |
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Matériaux cristallins |
99,999%, haute pureté, Al2O3 monocristallin |
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Grade |
Prime, épi-prêt |
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Orientation de la surface |
C-plan ((0001) |
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C-plan hors angle vers l'axe M 0,2 +/- 0,1° |
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Diamètre |
76.2 mm +/- 0,1 mm |
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Épaisseur |
500 μm +/- 25 μm |
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L'orientation principale est plate |
A-plan ((11-20) +/- 0,2° |
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Longueur plate primaire |
22.0 mm +/- 1,0 mm |
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Polie à une seule face |
Surface avant |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
(SSP) |
Surface arrière |
Rame finement moulée, Ra = 0,8 à 1,2 μm |
Polissage à double face |
Surface avant |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
(DSP) |
Surface arrière |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
TTV |
Pour les métaux: |
|
- Je vous en prie. |
Pour les métaux: |
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Le WARP |
Pour les métaux: |
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Nettoyage / Emballage |
nettoyage des salles blanches et emballages sous vide de classe 100, |
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25 pièces dans un emballage en cassette ou en un seul emballage. |
Nom de l'article |
Des plaquettes en C de 4 pouces (0001) 650 μm |
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Matériaux cristallins |
99,999%, haute pureté, Al2O3 monocristallin |
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Grade |
Prime, épi-prêt |
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Orientation de la surface |
C-plan ((0001) |
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C-plan hors angle vers l'axe M 0,2 +/- 0,1° |
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Diamètre |
100.0 mm +/- 0,1 mm |
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Épaisseur |
650 μm +/- 25 μm |
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L'orientation principale est plate |
A-plan ((11-20) +/- 0,2° |
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Longueur plate primaire |
30.0 mm +/- 1,0 mm |
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Polie à une seule face |
Surface avant |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
(SSP) |
Surface arrière |
Rame finement moulée, Ra = 0,8 à 1,2 μm |
Polissage à double face |
Surface avant |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
(DSP) |
Surface arrière |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
TTV |
> 20 μm |
|
- Je vous en prie. |
> 20 μm |
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Le WARP |
> 20 μm |
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Nettoyage / Emballage |
nettoyage des salles blanches et emballages sous vide de classe 100, |
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25 pièces dans un emballage en cassette ou en un seul emballage. |
Nom de l'article |
6 pouces C-plan ((0001) 1300 μm Waffles de saphir |
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Matériaux cristallins |
99,999%, haute pureté, Al2O3 monocristallin |
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Grade |
Prime, épi-prêt |
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Orientation de la surface |
C-plan ((0001) |
|
C-plan hors angle vers l'axe M 0,2 +/- 0,1° |
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Diamètre |
150.0 mm +/- 0,2 mm |
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Épaisseur |
1300 μm +/- 25 μm |
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L'orientation principale est plate |
A-plan ((11-20) +/- 0,2° |
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Longueur plate primaire |
47.0 mm +/- 1,0 mm |
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Polie à une seule face |
Surface avant |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
(SSP) |
Surface arrière |
Rame finement moulée, Ra = 0,8 à 1,2 μm |
Polissage à double face |
Surface avant |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
(DSP) |
Surface arrière |
Épi-polissé, Ra < 0,2 nm (par AFM) |
TTV |
< 25 μm |
|
- Je vous en prie. |
< 25 μm |
|
Le WARP |
< 25 μm |
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Nettoyage / Emballage |
nettoyage des salles blanches et emballages sous vide de classe 100, |
|
25 pièces dans un emballage en cassette ou en un seul emballage. |
Vérification de l'acceptation
1Le produit est fragile. Nous l'avons correctement emballé et étiqueté fragile. Nous livrons par l'intermédiaire d'excellentes compagnies express nationales et internationales pour assurer la qualité du transport.
2. Après avoir reçu les marchandises, veuillez les manipuler avec soin et vérifier si le carton extérieur est en bon état.Prends une photo avant de les sortir..
3Veuillez ouvrir l'emballage sous vide dans une pièce propre lorsque les produits doivent être appliqués.
4. Si les produits sont trouvés endommagés pendant le courrier, veuillez prendre une photo ou enregistrer une vidéo immédiatement. NE PAS retirer les produits endommagés de la boîte d'emballage!Contactez-nous immédiatement et nous allons résoudre le problème bien.