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2 " Wafer piézoélectrique de haute précision Wafer saphir 330um 430um Épaisseur
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | CSIMC |
| Certification: | ISO:9001 |
| Numéro de modèle: | Saphir (Al2O3) |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5 morceaux |
|---|---|
| Prix: | Négociable |
| Détails d'emballage: | Cassette, pot, paquet de film |
| Délai de livraison: | 1-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000 morceaux/mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Sapphire Wafer | Le type: | Monocristal |
|---|---|---|---|
| portée de transmission: | 0,17 à 5,5 microns | Surface: | Double côté polonais |
| Perte de réflexion: | à 1,06 microns (2 surfaces) pour les rayons O - 11,7%; pour les rayons E - 14,2% | Indice d'absorption: | 0.3 x 10-3 cm-1 à 2,4 microns |
| Capacité de chaleur spécifique: | 419 j (kilogramme X K) | Constante diélectrique: | 11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz |
| Mettre en évidence: | gaufrette en cristal de saphir de 50.8mm,gaufrette 430um épaisse,gaufrette en cristal 330um de saphir |
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Description de produit
2 " Wafer piézoélectrique de haute précision Wafer saphir 330um 430um Épaisseur
Nos gaufres en saphir sont l'incarnation de la précision et de la qualité, fabriquées à partir du plus pur cristal de saphir.et stabilité thermique, ce qui les rend idéales pour un large éventail d'applications dans l'industrie des semi-conducteurs.
Grâce à leurs propriétés uniques, nos plaquettes de saphir offrent des performances supérieures dans l'électronique de haute puissance, les appareils optiques et les capteurs.Ils sont également très résistants aux attaques chimiques et peuvent résister à des températures extrêmes., ce qui en fait un choix fiable pour des applications exigeantes.
Notre procédé de fabrication de pointe assure une qualité et une précision constantes dans chaque wafer.
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| Propriétés optiques du saphir Al2O3 | |
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Portée de transmission |
0.17 à 5,5 microns |
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Indice de réfraction |
1.75449 (o) 1.74663 (e) à 1,06 microns |
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Perte de la réflexion |
à 1,06 microns (2 surfaces) pour les rayons O - 11,7%; pour les rayons E - 14,2% |
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Indice d'absorption |
0.3 x 10-3 cm-1 à 2,4 microns |
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DN/dT |
13.7 x 10-6 à 5,4 microns |
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dn/dm = 0 |
1.5 microns |
| Propriétés physiques du saphir Al2O3 | |
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Densité |
30,97 g/cm3 |
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Point de fusion |
2040 degrés C |
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Conductivité thermique |
27.21 W/ ((m x K) à 300 K |
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Expansion thermique |
5.6 x 10- 6/K (axe C parallèle) et 5,0 (axe C perpendiculaire) x 10- 6- Je ne sais pas. |
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Dureté |
Noup 2000 kg/mm2avec indentateur de 2000 g |
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Capacité thermique spécifique |
419 J/ ((kg x K) |
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Constante diélectrique |
11.5 (axe C parallèle) 9.4 (axe C perpendiculaire) à 1 MHz |
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Module de Young (E) |
335 GPa |
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Module de cisaillement (G) |
148.1 GPa |
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Module de masse (K) |
240 GPa |
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Coefficients élastiques |
C11= 496 C12=164 C13=115 |
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Limite apparente d'élasticité |
275 MPa (40.000 psi) |
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Ratio de poisson |
0.25 |
Vérification de l'acceptation
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