 |
Portée infrarouge adaptée aux besoins du client de nuit de Sapphire Wafer Used As Infrared Windows
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | BonTek |
| Certification: | ISO:9001 |
| Numéro de modèle: | Saphir (Al2O3) |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 5 morceaux |
|---|---|
| Prix: | Négociable |
| Détails d'emballage: | Cassette, pot, paquet de film |
| Délai de livraison: | 1-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 10000 morceaux/mois |
|
Détail Infomation |
|||
| Matériel: | Sapphire Wafer | orientation: | C-axe [0001], R-axe [1-102], Un-axe [11-20], M-axe [10-10] |
|---|---|---|---|
| portée de transmission: | 0,17 à 5,5 microns | Indice de réfraction: | 1,75449 (o) 1,74663 (e) à 1,06 microns |
| Perte de réflexion: | à 1,06 microns (2 surfaces) pour les rayons O - 11,7%; pour les rayons E - 14,2% | Indice d'absorption: | 0.3 x 10-3 cm-1 à 2,4 microns |
| Capacité de chaleur spécifique: | 419 j (kilogramme X K) | Constante diélectrique: | 11,5 (C-axe parallèle) 9,4 (C-axe perpendiculaire) à 1MHz |
| Mettre en évidence: | Sapphire Wafer adaptée aux besoins du client,Gaufrette infrarouge de la portée al2o3 de nuit,Caméra Sapphire Wafer de vision nocturne |
||
Description de produit
Wafer de saphir personnalisé utilisé comme caméra de vision nocturne infrarouge
Les plaquettes en saphir sont l'incarnation de la technologie moderne des semi-conducteurs, combinant une dureté exceptionnelle et une stabilité chimique avec des propriétés optiques supérieures.Leur mélange unique de caractéristiques les rend idéales pour un large éventail d'applications électroniques, des LED et des cellules solaires à l'électronique haute puissance.
Grâce à leur conductivité thermique exceptionnelle, les plaquettes de saphir assurent une dissipation de chaleur efficace, essentielle pour maintenir les performances des appareils de haute puissance.leur transparence élevée dans les spectres visible et UV permet une extraction maximale de la lumière dans les appareils optoélectroniques, ce qui conduit à une efficacité et une luminosité supérieures.
Le futur de l'électronique est là, et il est fait de saphir.
|
Les orientations disponibles: |
L'axe C [0001], l'axe R [1-102], l'axe A [11-20], l'axe M [10-10], aléatoire |
|
fenêtres en saphir / espaces vides |
|
|
Diamètre / largeur: |
25.0 à 250,0 mm |
|
Tolérance: |
Normalement ± 2°, spécialement à ± 0,1° |
|
Épaisseur: |
Au moins 0.15, au maximum 120,0 mm |
|
Finition de surface: |
Coupe, broyage fin, lapage, polissage s/d 80/50, 60/40, 40/20, 20/10, 10/5, selon le MIL-0-13830A |
|
Qualité des extrémités / bords: |
Bon sol, 80/50. |
|
Tubes en saphir "en pleine croissance": |
|
|
Les dimensions |
Jusqu'à 50 mm de diamètre intérieur, épaisseur de paroi de 0,5 à 4,0 mm, longueur de tubes de 300 à 600 mm |
|
Les orientations |
Axe C sur la longueur du tube |
|
Tubes de saphir poli: |
Jusqu'à 50 mm de diamètre intérieur, épaisseur de paroi de 0,5 à 3,0 mm, longueur de tubes de 80 à 350 mm |
|
d'une épaisseur n'excédant pas 1 mm |
Diamètre/largeur de 5 à 220 mm, épaisseur/longueur de 25 à 125 mm |
|
Qualité des surfaces |
Coupe à l'état de coupe, fin/bordure de qualité diamantée |
| Propriétés optiques du saphir Al2O3 | |
|
Portée de transmission |
0.17 à 5,5 microns |
|
Indice de réfraction |
1.75449 (o) 1.74663 (e) à 1,06 microns |
|
Perte de la réflexion |
à 1,06 microns (2 surfaces) pour les rayons O - 11,7%; pour les rayons E - 14,2% |
|
Indice d'absorption |
0.3 x 10-3 cm-1 à 2,4 microns |
|
DN/dT |
13.7 x 10-6 à 5,4 microns |
|
dn/dm = 0 |
1.5 microns |
| Propriétés physiques du saphir Al2O3 | |
|
Densité |
30,97 g/cm3 |
|
Point de fusion |
2040 degrés C |
|
Conductivité thermique |
27.21 W/ ((m x K) à 300 K |
|
Expansion thermique |
5.6 x 10- 6/K (axe C parallèle) et 5,0 (axe C perpendiculaire) x 10- 6- Je ne sais pas. |
|
Dureté |
Noup 2000 kg/mm2avec indentateur de 2000 g |
|
Capacité thermique spécifique |
419 J/ ((kg x K) |
|
Constante diélectrique |
11.5 (axe C parallèle) 9.4 (axe C perpendiculaire) à 1 MHz |
|
Module de Young (E) |
335 GPa |
|
Module de cisaillement (G) |
148.1 GPa |
|
Module de masse (K) |
240 GPa |
|
Coefficients élastiques |
C11= 496 C12=164 C13=115 |
|
Limite apparente d'élasticité |
275 MPa (40.000 psi) |
|
Ratio de poisson |
0.25 |
Vérification de l'acceptation
1Le produit est fragile. Nous l'avons correctement emballé et étiqueté fragile. Nous livrons par l'intermédiaire d'excellentes compagnies express nationales et internationales pour assurer la qualité du transport.
2. Après avoir reçu les marchandises, veuillez les manipuler avec soin et vérifier si le carton extérieur est en bon état.Prends une photo avant de les sortir..
3Veuillez ouvrir l'emballage sous vide dans une pièce propre lorsque les produits doivent être appliqués.
4. Si les produits sont trouvés endommagés pendant le courrier, veuillez prendre une photo ou enregistrer une vidéo immédiatement. NE PAS retirer les produits endommagés de la boîte d'emballage!Contactez-nous immédiatement et nous allons résoudre le problème bien.