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4 gaufrette de pouce LNOI réalisant l'intégration photonique compacte
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | LA CHINE |
| Nom de marque: | BonTek |
| Certification: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Numéro de modèle: | Gaufrette de LNOI |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 25 PIÈCES |
|---|---|
| Prix: | $2000/pc |
| Détails d'emballage: | Paquet de pot de cassette, fermé sous vide |
| Délai de livraison: | 1-4 semaines |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 50000 PCS/Month |
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Détail Infomation |
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| Produit: | LiNbO3 sur l'isolateur | Diamètre: | 4 pouces, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Couche supérieure: | Niobate de lithium | Épaisseur supérieure: | 300~600nm |
| Insolation: | Oxyde SiO2 thermique | Épaisseur d'insolation: | 2000±15nm ; 3000±50nm ; 4700±100nm |
| Substrat: | silicium | Application: | Guides d'ondes optiques et Microwaveguides |
| Mettre en évidence: | Gaufrette piézoélectrique de LNOI,4 gaufrette de pouce LNOI,300nm LiNbO3 sur l'isolateur |
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Description de produit
Réalisation de l'intégration photonique de contrat avec des gaufrettes de 4-Inch LNOI
LNOI représente le niobate de lithium sur l'isolateur, qui est une technologie spécialisée de substrat utilisée dans le domaine du photonics intégré. Des substrats de LNOI sont fabriqués en transférant une couche mince de cristal du niobate de lithium (LiNbO3) sur un substrat isolant, typiquement le silice (SiO2) ou le nitrure de silicium (Si3N4). Cette technologie offre des avantages uniques pour le développement des dispositifs photoniques compacts et performants.
La fabrication des substrats de LNOI implique de coller une couche mince de LiNbO3 sur une couche d'isolation utilisant des techniques comme la liaison ou l'ion-coupe de gaufrette. Ceci a comme conséquence une structure où LiNbO3 est suspendu sur un substrat non-conducteur, fournissant l'isolement électrique et réduisant les pertes optiques de guide d'ondes.
Applications de LNOI :
- Photonics intégré
- Télécommunication optique
- Détection et métrologie
- Optique de Quantum
| Gaufrette de LNOI | |||
| Structure | LN/SiO2/SI | LTV/PLTV | < 1="">) du millimètre2du ∗ 5/95% |
| Diamètre | ± Φ100 0,2 millimètres | Bord Exclution | 5 millimètres |
| Épaisseur | 500 μm du ± 20 | Arc | À moins du μm 50 |
| Longueur plate primaire | ± 47,5 2 millimètres ± 57,5 2 millimètres |
Règlage de bord | ± 2 0,5 millimètres |
| Tailler de gaufrette | R de type | Ambiant | Rohs 2,0 |
| Couche supérieure de LN | |||
| Épaisseur moyenne | 400/600±10 nanomètre | Uniformité | < 40nm=""> |
| Index de réfraction | aucun > 2,2800, Ne < 2=""> | Orientation | ± 0.3° d'axe des abscisses |
| Catégorie | Optique | Ra extérieur | < 0=""> |
| Défauts | >1mm aucun ; ≦1millimètreà moinsde300totaux |
Décollement | Aucun |
| Éraflure | >1cm aucun ; ≦1cmà moinsde3 |
Appartement primaire | Perpendiculaire à + ± 1° d'axe des ordonnées |
| Isolement SiO2 couches | |||
| Épaisseur moyenne | 2000nm ± 100nm du ± 50nm 4700nm du ± 15nm 3000nm | Uniformité | <> |
| Ouvrier. Méthode | Oxyde thermique | Index de réfraction | 1.45-1.47 @ 633 nanomètre |
| Substrat | |||
| Matériel | SI | Orientation | <100> ± 1° |
| Orientation plate primaire | <110> ± 1° | Résistivité | > kΩ 10·cm |
| Contamination de postérieur | Aucune tache évidente | Postérieur | Gravure à l'eau forte |
